| 主权项 |
1.一种化学机械研磨制程,其中在一半导体基底上,依序形成有一第一金属线层与一介电层,该制程包括下列步骤:进行一研磨步骤,将该介电层的表面磨平;以及形成一薄的帽盖层,在该介电层的表面上。2.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该第一金属线层包括掺杂的多晶矽。3.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该介电层的形成方法包括高密度电浆化学气相沈积法(HDP-CVD)。4.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该介电层的形成方法包括电浆加强式化学气相沈积法(PECVD)。5.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该介电层包括二氧化矽。6.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该研磨步骤包括化学机械研磨法。7.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该帽盖层的形成方法包括以矽甲烷(SiH4)为主的反应剂,利用电浆加强式化学气相沈积法(PECVD),形成氧化矽层,厚度在约1000-3000之间,可依设计准则的厚度需要而作调整。8.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该帽盖层的形成方法包括以原矽酸四乙酯(TEOS)为主的反应剂,利用化学气相沈积法(CVD),形成氧化矽层,厚度在约1000-3000之间,可依设计准则的厚度需要而作调整。9.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该帽盖层的形成方法包括以矽甲烷(SiH4)为主的反应剂,利用化学气相沈积法(CVD),形成氮化矽层,厚度在约1000-3000之间,可依设计准则的厚度需要而作调整。10.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该帽盖层的形成方法包括以二氯矽甲烷(SiH2Cl2)为主的反应剂,利用化学气相沈积法(CVD),形成氮化矽层,厚度在约1000-3000之间,可依设计准则的厚度需要而作调整。11.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该帽盖层的材料包括二氧化矽。12.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该帽盖层的材料包括磷矽玻璃(PSG)。13.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该帽盖层的材料包括多矽氧化矽层(SRO)。14.一种金属内连线制程,该制程包括下列步骤:提供一半导体基底,在该半导体基底上已形成一第一金属线层;形成一第一介电层,在该半导体基底与该第一金属线层上;形成一第二介电层,在该第一介电层上;进行一研磨步骤,研磨该第二介电层的表面;形成一帽盖层,在该第二介电层上;形成一接触窗口,在该第一介电层、该第二介电层与该帽盖层中,露出该第一金属线层;以及形成一第二金属线层,在该帽盖层上,并电性连接该接触窗口。15.如申请专利范围第14项所述之制程,其中该第一金属线层包括掺杂的多晶矽。16.如申请专利范围第14项所述之制程,其中该第一介电层的形成方法包括高密度电浆化学气相沈积法(HDP-CVD)。17.如申请专利范围第14项所述之制程,其中该第二介电层的形成方法包括电浆加强式化学气相沈积法(PECVD)。18.如申请专利范围第14项所述之制程,其中该第一介电层包括二氧化矽。19.如申请专利范围第14项所述之制程,其中该第二介电层包括二氧化矽。20.如申请专利范围第14项所述之制程,其中该研磨步骤包括化学机械研磨法。21.如申请专利范围第14项所述之制程,其中该帽盖层的形成方法包括以矽甲烷(SiH4)为主的反应剂,利用电浆加强式化学气相沈积法(PECVD),形成氧化矽层,厚度在约1000-3000之间,可依设计准则的厚度需要而作调整。22.如申请专利范围第14项所述之制程,其中该帽盖层的形成方法包括以原矽酸四乙酯(TEOS)为主的反应剂,利用化学气相沈积法(CVD),形成氧化矽层,厚度在约1000-30008之间,可依设计准则的厚度需要而作调整。23.如申请专利范围第14项所述之制程,其中该帽盖层的形成方法包括以矽甲烷(SiH4)为主的反应剂,利用化学气相沈积法(CVD),形成氮化矽层,厚度在约1000-3000之间,可依设计准则的厚度需要而作调整。24.如申请专利范围第14项所述之制程,其中该帽盖层的形成方法包括以二氯矽甲烷(SiH2Cl2)为主的反应剂,利用化学气相沈积法(CVD),形成氮化矽层,厚度在约1000-3000之间,可依设计准则的厚度需要而作调整。25.如申请专利范围第14项所述之制程,其中该帽盖层的材料包括二氧化矽。26.如申请专利范围第14项所述之制程,其中该帽盖层的材料包括磷矽玻璃(PSG)。27.如申请专利范围第14项所述之制程,其中该帽盖层的材料包括多矽氧化矽层(SRO)。图式简单说明:第一图A至第一图D其所绘示的为习知一种金属内连线制造流程的剖面示意图;第二图其所绘示的为习知一种金属内连线结构的俯视示意图;以及第三图A至第三图E其所绘示的为根据本发明之一较佳实施例,一种金属内连线制造流程的剖面示意图。 |
