发明名称 IC WITH THREE-LAYER POLYSILICON BURIED NVRAM CELL AND ITS MANUFACTURE
摘要
申请公布号 KR20000062558(A) 申请公布日期 2000.10.25
申请号 KR1020000007341 申请日期 2000.02.16
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
地址
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