| 主权项 |
1.一种非准确对位介层窗的制作方法,可应用于一基底上,在该基底上依序具有一导电层、一初期反反射涂布层与图案化之一光阻层,该方法至少包括下列步骤:以图案化之该光阻层为罩幕,定义该初期反反射涂布层以形成一反反射涂布层,并使该反反射涂布层之宽度小于图案化之该光阻层的宽度;以图案化之该光阻层为罩幕,定义该导电层以形成一导线,使该导线之宽度约等于图案化之该光阻层的宽度,并使该基底之部份表面曝露出来;移除图案化之该光阻层,并在该基底上形成一平坦化之介电层,覆盖于该反反射涂布层与该导线上;以及在该平坦化之介电层中形成一介层窗,以曝露出该反反射涂布层之部份表面、该导线之部份表面与部份侧壁。2.如申请专利范围第1项所述之非准确对位介层窗的制作方法,其中形成该反反射涂布层之步骤还包括:以图案化之该光阻层为罩幕,对该初期反反射涂布层进行一非等向性蚀刻,移除部份之该初期反反射涂布层;以及以图案化之该光阻层为罩幕,对该初期反反射涂布层进行一等向性蚀刻,移除部份之该初期反反射涂布层,使该反反射涂布层之宽度小于图案化之该光阻层的宽度,并曝露出该导电层之部份表面。3.如申请专利范围第1项所述之非准确对位介层窗的制作方法,其中形成该导线之方法包括非等向性蚀刻。4.如申请专利范围第1项所述之非准确对位介层窗的制作方法,其中形成该平坦化之介电层之方法包括化学机械研磨。5.如申请专利范围第1项所述之非准确对位介层窗的制作方法,其中形成该介层窗之方法包括非等向性蚀刻。6.如申请专利范围第1项所述之非准确对位介层窗的制作方法,其中形成该介层窗之步骤包括以该反反射涂布层为蚀刻终止层,对该平坦之介电层进行非等向性蚀刻。7.一种非准确对位介层窗的制作方法,可应用于一基底上,该方法至少包括下列步骤:在该基底上形成一导线与一反反射涂布层,其中该反反射涂布层位于该导线之上,且该反反射涂布层之宽度小于该导线之宽度,并曝露出该导线之侧壁;在该基底上形成一平坦化之介电层,覆盖于该反反射涂布层与该导线上;以及在该平坦化之介电层中形成一介层窗,以曝露出该反反射涂布层之部份表面、该导线之部份表面与部份侧壁。8.如申请专利范围第7项所述之非准确对位介层窗的制作方法,其中形成该导线与该反反射涂布层步骤还包括:在该基底上依序形成一导电层与一初期反反射涂布层;以及定义该初期反反射涂布层与该导电层,以形成该反反射涂布层与该导线。9.如申请专利范围第8项所述之非准确对位介层窗的制作方法,其中形成该反反射涂布层之步骤还包括:对该初期反反射涂布层进行一非等向性蚀刻,移除部份之该初期反反射涂布层;以及对该初期反反射涂布层进行一等向性蚀刻,移除部份之该初期反反射涂布层,缩减该反反射涂布层之宽度,并曝露出该导电层之部份表面。10.如申请专利范围第8项所述之非准确对位介层窗的制作方法,其中形成该导线之方法包括非等向性蚀刻。11.如申请专利范围第7项所述之非准确对位介层窗的制作方法,其中形成该平坦化之介电层之方法包括化学机械研磨。12.如申请专利范围第7项所述之非准确对位介层窗的制作方法,其中形成该介层窗之方法包括非等向性蚀刻。13.如申请专利范围第7项所述之非准确对位介层窗的制作方法,其中形成该介层窗之步骤包括以该反反射涂布层为蚀刻终止层,对该平坦之介电层进行非等向性蚀刻。图式简单说明:第一图其所绘示的是以习知方法制作的非准确对位介层窗之剖面示意图;以及第二图A至第二图E绘示依照本发明之较佳实施例,一种非准确对位介层窗的制作流程之剖面示意图。 |
