| 发明名称 | 制造氧氮化硅的方法 | ||
| 摘要 | 一种氧氮化硅的制造方法,它包括下列步骤:形成选自硅氮烷和硅氧氮烷的化合物的气化气流;提供加热的密闭反应段;将气化气流输送至氧含量严格控制的该加热的密闭反应段,形成氧氮化硅颗粒。 | ||
| 申请公布号 | CN1268099A | 申请公布日期 | 2000.09.27 |
| 申请号 | CN98808408.2 | 申请日期 | 1998.08.05 |
| 申请人 | 康宁股份有限公司 | 发明人 | D·F·道森－埃利;C·M·特鲁斯代尔 |
| 分类号 | C01B15/14;C04B33/32;C04B35/597;B05D3/02 | 主分类号 | C01B15/14 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 白益华 |
| 主权项 | 1.一种氧氮化硅的制造方法，它包括下列步骤：形成选自硅氮烷和硅氧氮烷的化合物的气化气流；提供加热到至少约500℃的密闭反应段；限制在该反应段中的氧含量；将气流输送至反应段，形成含氮量大于0.1重量％的氧氮化硅。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||