| 主权项 |
1.一种闸极电极之护层的制造方法,包括:提供一基底,该基底表面已形成一闸极氧化层;于该闸极氧化层上依序形成一导电层和一罩幕层;于该罩幕层上覆盖一已图案化的光阻层,该光阻层的厚度足以使其图案做正确的转移;将该光阻层的图案转移至该罩幕层;剥除该光阻层;进行一非等向性蚀刻制程,以继续将该罩幕层的图案转移至该导电层中,以形成该闸极电极,其中在该非等向性蚀刻过程中,该罩幕层的边角亦会被部份削除,而形成一具有圆弧形边角的顶盖层;形成一共形的衬氧化层覆盖该基底;以及于大致对应于该闸极电极和该具有圆弧形边角的顶盖层侧壁之衬氧化层外形成二间隙壁,该些间隙壁的顶部端点之距离小于该闸极电极的宽度,其中该闸极电极大致为该具有圆弧形边角的顶盖层和该间隙壁所包覆。2.如申请专利范围第1项所述之闸极电极之护层的制造方法,其中该导电层更包括由一复晶矽层和一矽化金属层所组成。3.如申请专利范围第1项所述之闸极电极之护层的制造方法,其中该顶盖层和该间隙壁的材质包括氮化矽。4.一种闸极电极之护层的制造方法,包括:提供一基底,该基底表面已形成一闸极氧化层;于该闸极氧化层上依序形成一导电层和一罩幕层;于该罩幕层上覆盖一已图案化的光阻层,该光阻层的厚度不足以将图案做正确的转移;进行一第一非等向性蚀刻制程,将该光阻层的图案转移至该罩幕层,其中经该第一非等向性蚀刻制程后,该光阻层的图案已失真;进行一第二非等向性蚀刻制程,以继续将该罩幕层的图案转移至该导电层中,以形成该闸极电极,其中在该第二非等向性蚀刻过程中,该失真的光阻层不足以保护该罩幕层,致使该罩幕层的边角亦会被部份削除,而形成一具有圆弧形边角的顶盖层;剥除该光阻层;形成一共形的衬氧化层覆盖该基底;以及于大致对应于该闸极电极和该具有圆弧形边角的顶盖层侧壁之衬氧化层外形成二间隙壁,其中该闸极电极大致为该具有圆弧形边角的顶盖层和该间隙壁所包覆。5.如申请专利范围第4项所述之闸极电极之护层的制造方法,其中该导电层更包括由一复晶矽层和一矽化金属层所组成。6.如申请专利范围第4项所述之闸极电极之护层的制造方法,其中该顶盖层和该间隙壁的材质包括氮化矽。7.如申请专利范围第4项所述之闸极电极之护层的制造方法,其中该些间隙壁的顶部端点之距离小于该闸极电极的宽度。图式简单说明:第一图A至第一图E系绘示根据本发明一较佳实施例之闸极电极之护层的制造流程剖面图;以及第二图A至第二图C系绘示根据本发明一较佳实施例之闸极电极之护层的部份制造流程剖面图。 |
