| 主权项 |
1.一种半导体容纳装置,包括一根卷轴及一条卷于卷轴上的压纹带,该压纹带具有一个底壁可供放置半导体装置于其上,两片侧壁由该顶壁之两侧缘向上延伸及多片顶壁介于其间形成开口,侧壁系成形为通过开口插入的半导体装置由侧壁固持而半导体装置系置于底壁上。2.如申请专利范围第1项之半导体容纳装置,其中于两侧壁接合底壁位置之两侧壁间距大于高于底壁之两侧壁间距。3.如申请专利范围第2项之半导体容纳装置,其中于高于底壁之两侧壁位置系小于有待容纳的半导体装置尺寸,该半导体装置系经由顶壁开口插入且两侧壁反弹性胀大;而当半导体装置置于底壁上时,两侧壁返回原先位置而固持半导体装置于其间。4.如申请专利范围第1项之半导体容纳装置,其中该底壁又包含以预定节距凸起的凸部及一个容纳半导体装置之袋系由两侧壁及两毗邻凸部界定。5.一种嵌入半导体装置于一个半导体容纳装置之方法,该半导体容纳装置包括一根卷轴及一条卷于卷轴上的压纹带,该方法包括下列步骤:藉至少一个工具胀大压纹带之壁;嵌入半导体装置通过于压纹带顶壁形成的开口,而两侧壁系处于胀大状态使半导体装置于压纹带之底壁上;及使两侧壁返回原先位置故半导体装置由两侧壁固持。6.如申请专利范围第5项之方法,其中于高于底壁位置之两侧壁间距系小于有待容纳的半导体装置尺寸,压纹带之两侧壁系藉至少一种工具反弹性胀大而于半导体装置嵌入后使两侧壁反弹性返回原先位置故半导体装置由两侧壁固持。7.一种由半导体容纳装置取出半导体装置之方法,该半导体容纳装置包括一根卷轴及一条卷于卷轴上之压纹带,该方法包括下列步骤:使用至少一个工具胀大压纹带两侧壁,通过压纹带顶壁开口取出置于压纹带底壁上的半导体装置;及使两侧壁返回原先位置。8.如申请专利范围第7项之取出半导体装置之方法,其中于高于底壁之两侧壁间距系小于有待容纳的半导体装置尺寸,半导体装置系由两侧壁反弹性固持,压纹带之两侧壁由至少一个工具反弹性胀大,及于半导体装置取出后任两侧壁反弹性返回原先位置。9.一种将半导体装置嵌入半导体容纳装置及自其取出之方法,该半导体容纳装置包括一根卷及一条卷于卷上之压纹带,该方法包括下列步骤:于第一站,压纹带之两侧壁藉至少一个工具胀大,一个半导体装置通过压纹带顶壁之开口于两侧壁胀大的情况下嵌入,使半导体装置置于压纹带底壁上,及两侧壁返回原先位置,使半导体装置由两侧壁固持;容纳有半导体装置之半导体容纳装置由第一站转运至第二站;于第二站,压纹带两侧壁藉至少一个工具胀大,置于压纹带底壁上的半导体装置通过压纹带顶壁的开口取出,及两侧壁返回原先位置;已经空载的压纹带由第二站运转至第一站;及新的半导体装置嵌入包含压纹带之转运后的半导体容纳装置。图式简单说明:第一图为根据本发明之具体例之半导体容纳装置之透视图;第二图为透视图以放大尺寸说明第一图之压纹带;第三图为第二图之压纹带之剖面图;第四图为透视图,示例说明如何使用工具将半导体装置嵌入压纹带内;第五图为压纹带之修改例之透视图;第六图为压纹带之又一修改例之透视图;第七图为压纹带七又一修改例之剖面图;第八图为视图,示例说明胀大侧壁工具之修改例;第九图为视图,示例说明胀大侧壁工具之修改例;第十图为剖面围,示例说明胀大侧壁工具之修改例;第十一图为视图,示例说明重覆使用半导体容纳装置之系统;第十二图为习知半导体容纳装置之说明图;及第十三图为第十二图之压纹带之示意视图。 |
