| 主权项 |
1. 一种具有非晶矽顶盖层之复晶矽金属闸极制造方法,系包括下列步骤:(a)提供一基底;(b)形成一绝缘层于该基底表面;(c)形成一复晶矽层于该绝缘层表面;(d)形成一矽化钨层于该复晶矽层表面,其中,该矽化钨层具有一既定矽/钨原子比値;(e)形成一非晶矽顶盖层于该矽化钨层表面,其中,该非晶矽顶盖层之厚度系依据该矽化钨层之既定矽/钨原子比値决定;(f)形成一遮蔽层于该非晶矽顶盖层表面;及(g)定义该遮蔽层、该非晶矽顶盖层、该矽化钨层、该复晶矽层和该绝缘层,以构成复晶矽金属闸极。2. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该步骤(e)之该非晶矽顶盖层之厚度,系与该矽化钨层之矽/钨原子比値成正相关。3. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该步骤(e)之该矽化钨层之矽/钨原子比値范围约在2.3至2.8之间。4. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该步骤(e)之该非晶矽顶盖层之厚度范围约在15至50埃之间。5. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该步骤(f)之遮蔽层系由氮化矽材质组成。6. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中于该步骤(f)后更包括一实施快速热退火制程之步骤。7. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中于该步骤(g)后更包括一步骤(h),其系藉一快速热氧化制程在该复晶矽金属闸极之复晶矽层、矽化钨层侧壁及该基底表面形成一薄氧化层。8. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中于该步骤(g)后更包括一步骤(i),其系在该复晶矽金属闸极侧壁形成一氮化矽侧壁层。9. 一种具有非晶矽顶盖层之复晶矽金属闸极制造方法,系包括下列步骤:(a)提供一基底;(b)形成一氧化层于该基底表面;(c)形成一复晶矽层于该氧化层表面;(d)形成一矽化钨层于该复晶矽层表面,其中,该矽化钨层具有一既定矽/钨原子比値;(e)形成一非晶矽顶盖层于该矽化钨层表面,其中,该非晶矽顶盖层之厚度系与该矽化钨层之既定矽/钨原子比値成正相关;(f)形成一氮化矽层于该非晶矽顶盖层表面;及(g)定义该氮化矽层、该非晶矽顶盖层、该矽化钨层、该复晶矽层和该氧化层,以构成复晶矽金属闸极。10. 一种具有非晶矽顶盖层之复晶矽金属闸极制造方法,系包括下列步骤:(a)提供一矽基底;(b)形成一氧化层于该矽基底表面;(c)形成一复晶矽层于该氧化层表面;(d)形成一矽化钨层于该复晶矽层表面,其中,该矽化钨层具有一既定矽/钨原子比値,范围约在2.3至2.8之间;(e)形成一非晶矽顶盖层于该矽化钨层表面,该非晶矽顶盖层之厚度约为15埃至50埃,其中,该非晶矽顶盖层之厚度系与该矽化钨层之既定矽/钨原子比値成正相关;(f)形成一氮化矽层于该非晶矽顶盖层表面;(g)定义该氮化矽层、该非晶矽顶盖层、该矽化钨层、该复晶矽层和该氧化层,以构成复晶矽金属闸极;(h)形成一薄氧化层于该复晶矽金属闸极之复晶矽层和矽化钨层侧壁及该基底表面;及(i)在该复晶矽金属闸极之氮化矽层及薄氧化层侧壁形成一氮化矽侧壁层。 |
