发明名称 |
Dickenanpassen von waferverbundenen Al¶x¶Ga¶y¶In¶z¶N-Strukturen durch Laserschmelzen |
摘要 |
Lichtemittierende Bauelemente mit einem vertikalen optischen Weg, z. B. ein Oberflächen-emittierender Laser mit einem vertikalen Hohlraum oder ein lichtemittierendes oder -erfassendes Bauelement mit Resonanzhohlraum, mit hochqualitativen Spiegeln können unter Verwendung von Waferbonden oder metallischen Löttechniken erreicht werden. Die lichtemittierende Region liegt zwischen einem oder zwei Reflektorstapeln, die dielektrische verteilte Bragg-Reflektoren (DBRs) enthalten. Die dielektrischen DBRs können abgeschieden sein oder an dem lichtemittierenden Bauelement angebracht sein. Ein Grundsubstrat aus GaP, GaAs, InP oder Si ist an einem der dielektrischen DBRs angebracht. Elektrische Kontakte werden dem lichtemittierenden Bauelement hinzugefügt.
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申请公布号 |
DE19953609(A1) |
申请公布日期 |
2000.08.17 |
申请号 |
DE1999153609 |
申请日期 |
1999.11.08 |
申请人 |
HEWLETT-PACKARD CO., PALO ALTO |
发明人 |
CARTER COMAN, CARRIE;KISH, FRED A.;KERN, R. SCOTT;KRAMES, MICHAEL R.;MARTIN, PAUL S. |
分类号 |
H01L33/00;H01L33/10;H01L33/46;H01S5/02;H01S5/183;H01S5/323;(IPC1-7):H01S5/125 |
主分类号 |
H01L33/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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