半导体装置及其制造方法

摘要

课题是提供通导电阻小的半导体装置。这是一种把在半导体表面上形成的凹沟与凹沟之间所形成的沟道里流动的主电流，用已埋入到凹沟内部中去的栅极电极进行控制的半导体装置，被此栅极电极直接控制的主电流的方向与半导体表面平行，主电流分布在从半导体表面的垂直方向上。因而可以不受半导体表面面积限制地、自由地增大沟道宽度Ｗ。

主权项

1.一种半导体装置，它是绝缘栅型半导体装置至少具备：至少具有一个主表面的基板，该基板是具有SOI绝缘膜和在其上形成有半导体层的SOI基板；具有在该基板的上部或者在表面的至少一部分上形成、且与该主表面实质上平行的主表面的第1半导体区，在该第1半导体区的一部分上形成的将成为第1主电极区的第2半导体区；在该第1半导体区的一部分上形成、且与该第2半导体区分开形成的将成为第2主电极区的第3半导体区；在该第2和第3半导体区之间的该第1半导体区的一部分上形成、并对该主表面实质上具有垂直的侧壁且从第1半导体区的表面向内部形成的、与该第2和第3半导体区域成“平行”配置的数列栅极凹沟；在该栅极凹沟的该侧壁部分上形成的栅极绝缘膜；在该栅极绝缘膜的表面上形成为使得把该栅极凹沟的至少一部分埋填的栅极埋入电极，其特征是，在该第1和第2主电极之间流动的主电流之中，该栅极埋入电极的最近傍的、用该栅极埋入电极进行控制的成分的方向是与该表面平行的，且该主电流的分布方向是垂直该主表面的方向。