| 发明名称 |
Method of manufacturing an inter- or intra-metal dielectric comprising air in an integrated circuit |
| 摘要 |
<p>Le procédé comprend le dépôt de germanium polycristallin (12) dans les espaces inter-connexions entre des éléments métalliques conducteurs (11) et l'élimination du germanium pour former des espaces inter-connexions remplis d'air (15). Application à la fabrication de circuits intégrés. <IMAGE> <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP1014439(A1) |
申请公布日期 |
2000.06.28 |
| 申请号 |
EP19990402414 |
申请日期 |
1999.10.01 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS SA;FRANCE TELECOM |
发明人 |
ALIEU, JEROME;LAIR, CHRISTOPHE;HAOND, MICHEL |
| 分类号 |
H01L21/768;H01L23/522;(IPC1-7):H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/768 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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