| 发明名称 |
TWO BIT NON-VOLATILE ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL UTILIZING ASYMMETRICAL CHARGE TRAPPING |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1010182(A2) |
申请公布日期 |
2000.06.21 |
| 申请号 |
EP19980936654 |
申请日期 |
1998.08.02 |
| 申请人 |
SAIFUN SEMICONDUCTORS LTD |
发明人 |
EITAN, BOAZ |
| 分类号 |
H01L21/8247;G11C11/56;G11C16/04;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26;H01L27/105;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):G11C14/00 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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