发明名称 利用磁场的微波增强型CVD系统和方法
摘要 本发明展示一种改进的化学气相淀积法;在这种方法中,回旋共振与光或等离子体化学气相淀积法相配合,以高的淀积速度淀积具有高性能的薄膜。高淀积速度归因于回旋共振,而高质量性能归因于两种化学气相淀积法(CVDs)的组合。
申请公布号 CN1053230C 申请公布日期 2000.06.07
申请号 CN94106741.6 申请日期 1986.10.14
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山崎舜平
分类号 C23C16/50;H01J37/32 主分类号 C23C16/50
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 萧掬昌;张志醒
主权项 1.一种等离子体处理装置,其特征在于包括:一反应室;一气体引进装置,将一处理气体引进该反应室;一微波发射装置,将微波射入该反应室;一磁场施感装置,在反应室中施感磁场而形成电子回旋共振,以便将所说处理气体转变为等离子体;一衬底,具有一待处理的表面,且被放置在反应室中;以及抽气装置,将所说反应室抽空,所说抽气装置包含一个插置在反应室和一真空泵之间的涡轮分子泵。
地址 日本神奈川县
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