化学汽相淀积稀土掺杂的半导体层

摘要

本发明公开了一种在衬底上制造掺稀土元素的外延半导体层的CVD方法。本方法采用气相的硅烷或锗烷与稀土元素化合物。通过本方法,制造出单相的掺过饱和稀土元素的半导体层。优选的稀土元素是铒,而用CVD淀积铒的较佳先质是铒的六氟乙酰丙酮化物、乙酰丙酮化物、四甲基庚二酮化物及氟辛二酮化物。本方法可用于制造包括硅衬底与掺铒外延硅薄膜的光电子器件。

主权项

1.一种在衬底上制作掺铒的半导体层的方法，其特征在于包括：将选自由气相的锗烷、硅烷及其混合物组成的一组材料中的第1组分和由气相的铒化合物组成的第2组分的混合物导入用于在一衬底上形成淀积薄膜的薄膜形成室中，并加热所述衬底，其中，所述铒化合物的蒸汽压在500℃时大于10-6乇。