发明名称 | 低温等离子体臭氧发生片 | ||
摘要 | 本实用新型为一种低温等离子体臭氧发生片,由精密陶瓷基片及烧结在其正面的贵金属氧化物电晕电极,烧结在其反面的贵金属合金背部电极;两面电极上各有焊点,在正、反面电极表面上分别涂敷陶瓷介质和玻璃介质浆料,烧结而成介质保护层。本技术成功的将传统的尖隙放电臭氧发生装置改进为高频陶瓷沿面放电发生装置。 | ||
申请公布号 | CN2380555Y | 申请公布日期 | 2000.05.31 |
申请号 | CN99213572.9 | 申请日期 | 1999.06.11 |
申请人 | 侯云翔 | 发明人 | 侯云翔 |
分类号 | C01B13/28 | 主分类号 | C01B13/28 |
代理机构 | 三高专利事务所 | 代理人 | 江崇玉 |
主权项 | 1、一种低温等离子体臭氧发生片,其特征在于:由精密陶瓷基片(1)及烧结在其正面的贵金属氧化物电晕电极(2)、烧结在其反面的贵金属合金背部电极(3),两面电极上各有焊点(6、7),在正、反面电极表面上分别涂敷陶瓷介质(4)和玻璃介质(5)浆料,烧结而成介质保护层。 | ||
地址 | 100083北京市学院路甲5号辰光集团 |