低电压快速存储单元及其制造方法

摘要

一种低电压快速存储单元及其制造方法,此一存储单元结构包括:一半导体基底;在基底上具有两条相邻的沟槽覆盖于基底及沟槽上的厚氧化层,此一厚氧化层包括覆盖在两条相邻沟槽之间岛状结构上的薄隧道氧化层;覆盖于基底岛状结构的薄隧道氧化层上具有一浮置栅极;在浮置栅极上有一内介电层;在此一内介电层上具有一控制栅极。

主权项

1.一种在半导体基底上形成的低电压快速存储单元，其特征在于，该快速存储单元包括：一半导体基底；两沟槽，设在该半导体基底上；一厚氧化层，设在该半导体基底及该各沟槽上；该厚氧化层中，包括一薄隧道氧化层，设在该半导体基底上的该各沟槽之间；一浮置栅极，设在该厚氧化层上，其形状为该各沟槽在该半导体基底上所形成的构型；一内介电层，该在该浮置栅极上；以及一控制栅极，设在该内介电层上。