| 主权项 |
1.一种电场放射型电子源,其特征为;备有导电性基 板,与形成于导电性基板之一表面侧而具有经氧化 或氮化之毫微构造之多孔质之多结晶矽层,与形成 于该多孔质之多结晶矽层上之金属薄膜,而藉将金 属薄膜对于导电性基板作为正极施加电压透过金 属薄膜放射电子线。2.如申请专利范围第1项之电 场放射型电子源,其中上述多孔质之多结晶矽层, 系将金属薄膜对于导电性基板作为正极施加电压 而透过金属薄膜放射电子线时上述电场放射型电 子源实质上不会发生跳动现象之多结晶矽层。3. 如申请专利范围第1项之电场放射型电子源,其中 上述多孔质之多结晶矽层,系多孔度高之多结晶矽 层与多孔度低之多结晶矽层交替地叠层所成之层 。4.如申请专利范围第1项之电场放射型电子源,其 中上述多孔质之多结晶矽层,系在厚度方向多孔度 为连续地变化之层。5.如申请专利范围第1项之电 场放射型电子源,其中上述多孔质之多结晶矽层, 系与表面侧相较使导电性基板侧之多孔度变高在 厚度方向其多孔度为连续地变化之层。6.如申请 专利范围第1项之电场放射型电子源,其中上述多 结晶矽层,系无掺杂之多结晶矽层。7.如申请专利 范围第1项之电场放射型电子源,其中导电性基板, 系由玻璃等基板,与形成于该基板表面之导电性薄 膜所构成而成。8.一种电场放射型电子源之制造 方法,其系电场放射型电子源之制造方法,其特征 为;在导电性基板上形成多结晶矽层,将多结晶矽 层多孔质化,氧化或氮化被多孔质化之多结晶矽层 ,而在被氧化或氮化之多孔质多结晶矽层上形成由 金属薄膜所构成之电极。9.如申请专利范围第8项 之电场放射型电子源之制造方法,其中其系电场放 射型电子源之制造方法,上述多结晶矽层之多孔质 化,系由多孔度高之多结晶矽层与多孔度低之多结 晶矽层为交替地叠层而成。10.如申请专利范围第8 项之电场放射型电子源之制造方法,其中其系电场 放射型电子源之制造方法,上述多结晶矽层之多孔 质化,系与表面侧相较导电性基板侧之多孔度变高 而在厚度方向其多孔度为连续地变化所构成。11. 一种平面发光装置,其特征为;备有形成于导电性 基板与导电性基板之一表面侧而经氧化或氮化具 有毫微构造之多孔质之多结晶矽层与具有形成于 该多孔质之多结晶矽层上之金属薄膜之电场放射 型电子源,与对向配置于上述金属薄膜之透明电极 ,由上述电子线而发光可视光线之萤光体为设于上 述透明电极所构成。12.一种显示装置,其特征为; 将备有形成于导电性基板与导电性基板之一表面 侧而经氧化或氮化具有毫微构造之多孔质之多结 晶矽层与具有形成于该多孔质之多结晶矽层上之 金属薄膜之电场放射型电子源构成为矩阵状,分别 控制施加于各电场放射型电子源之上述电压之手 段,与对向配置于上述金属薄膜之透明电极,由上 述电子线而发光之可视光线之萤光体为设于上述 透明电极所构成。13.一种固体真空装置,其特征为 ;导电性基板与形成于导电性基板一表面侧之被氧 化或氮化而具有毫微构造之多孔质多结晶矽层与 形成于该多孔质多结晶矽层上而具有金属薄膜之 电场放射型电子源与阳极为配设于真空容器所构 成。图式简单说明: 第一图系表示实施形态1之剖面图。 篇二图A-第二图D系说明实施形态1制程之主要步骤 剖面图。 第三图系实施形态1之放射电子之测定原理之说明 图。 第四图系实施形态1之电压电流特性图。 第五图系将第四图资料进行Fowler-Nordheim绘图之图 表。 第六图A系用来说明实施形态1之电子释出机构之 图,而系施加直流电压Vps前状态之条带图。 第六图B系用来说明实施形态1之电子释出机制之 图,而系施加直流电压Vps状态之条带图。 第七图系实施形态1之释出电子之能量分布之说明 图。 第八图系表示实施形态1之电流经时变化之图表。 第九图系表示实施形态1之电流之真空度依存性之 图表。 第十图A-第十图C系用来说明实施形态2制程之主要 步骤剖面图。 第十一图A-第十一图C系用来说明实施形态2制程之 主要步骤剖面图。 第十二图系实施形态2之电压电流特性图。 第十三图系将第十二图资料进行Fowler-Nordheim绘图 之图表。 第十四图系表示实施形态2之电流经时变化之图表 。 第十五图系实施形态2之其他构成例之阳极氧化处 理之说明图。 第十六图A-第十六图C系用来说明实施形态3制程之 主要步骤剖面图。 第十七图系表示实施形态4之概略构成图。 第十八图系表示实施形态5之要部概略构成图。 第十九图系表示实施形态6之概略构成图。 |
