发明名称 | 一种制造半导体器件的方法 | ||
摘要 | 一种具有结晶半导体层的半导体器件制造方法,包括在相对低的温度下加热使非晶硅半导体层晶化的各步骤,这是由于使用促进晶化材料,诸如Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、Pb、P、As和Sb。该促进晶化的材料是由把它混入用来形成氧化硅的液体前体物内,并且将此先驱物涂在非晶硅膜上而导入的。于是,就可以将促晶化材料以最低浓度加入到非晶硅膜里。 | ||
申请公布号 | CN1052565C | 申请公布日期 | 2000.05.17 |
申请号 | CN94112772.9 | 申请日期 | 1994.12.02 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 木谷久;宫永昭治;竹山顺一 |
分类号 | H01L21/00;H01L21/20 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张元忠 |
主权项 | 1.一种在衬底上制造半导体器件的方法,包括下列各步骤:配置与包括硅的半导体层接触的一种形成氧化硅的前体材料,其中该前体材料包括能促进所述半导体层晶化的金属或金属化合物;预烘该衬底以形成包括由前体材料形成的氧化硅的膜,该膜的厚度为200-1300;和在450℃或更高的温度下,加热所述的半导体层,以便晶化所述的半导体层;所述金属选自Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、Pb、P、As、Sb和Ni;和所述金属化合物选自镍化合物、铁盐、钴盐、钌盐、铑盐、锇盐、铱盐、铂盐、铜化合物和金化合物。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |