| 发明名称 |
Flaechentransistor mit einer die eingelassene Emitterzone umgebenden Basiszone |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1207505(B) |
申请公布日期 |
1965.12.23 |
| 申请号 |
DE1963J024403 |
申请日期 |
1963.09.11 |
| 申请人 |
INTERMETALL GESELLSCHAFT FUER METALLURGIE;ELEKTRONIK M.B.H. |
发明人 |
HEHNEN DIPL.-PHYS. JOSEF |
| 分类号 |
H01L27/082;H01L29/00;H01L29/40;H01L29/73 |
主分类号 |
H01L27/082 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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