| 主权项 |
1.一种使用研磨终止层(stop layer)之镶崁式内连导线(damascene interconnect)制程,包括下列步骤:形成一绝缘层于一半导体基底上,并在其中形成复数宽与窄的沟槽,供制作金属导线之用;形成一金属层填入该宽与窄的沟槽内,并覆盖在该绝缘层的表面上,其中该金属层在该宽沟槽上方的部分形成一凹陷区域;沿着该金属层的表面形成一阻障层;直接施行一化学性机械研磨程序(CMP),以依序磨除该阻障层和该金属层的表层部分,其中该阻障层位于该凹陷区域上方的部分在研磨过程中当作一研磨终止层,以保护其下方的金属层不致被过度研磨,藉此形成大致平坦的镶崁式内连导线构造。2.如申请专利范围第1项所述一种使用研磨终止层之镶崁式内连导线制程,其中该绝缘层系一氧化矽层或低介电常数材料层。3.如申请专利范围第1项所述一种使用研磨终止层之镶崁式内连导线制程,其中该金属层系一铜(Cu)、铝(Al)、或钨(W)金属层。4.如申请专利范围第1项所述一种使用研磨终止层之镶崁式内连导线制程,其中该阻障层系选用研磨速率低于该金属层者之材质。5.如申请专利范围第4项所述一种使用研磨终止层之镶崁式内连导线制程,其中该阻障层的材质系一种选自于由钽(Ta)、氮化钽(TaN)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、氧化矽、及氮化矽所成之组群。6.一种使用研磨终止层(stop layer)之镶崁式内连导线(damascene interconnect)制程,包括下列步骤:形成一绝缘层于一半导体基底上,并在其中形成复数宽与窄的沟槽,供制作金属导线之用;形成一金属层填入该宽与窄的沟槽内,并覆盖在该绝缘的表面上,其中该金属层在该宽沟槽上方的部分形成一凹陷区域;沿着该金属层的表面形成一阻障层;对该阻障层施行第一阶段化学性机械研磨程序,至露出该金属层的表面为止,而留下该阻障层位于该凹陷区域上方的部分;利用该剩余的阻障层当作罩幕,而对露出之金属层施行一蚀刻程序以减少其厚度;施行第二阶段化学性机械研磨程序,以依序磨除该阻障层和该金属层的表层部分,其中该剩余的阻障层在研磨过程中当作一研磨终止层,以保护其下方的金属层不致被过度研磨,藉此形成全面平坦的镶崁式内连导线构造。7.如申请专利范围第6项所述一种使用研磨终止层之镶崁式内连导线制程,其中该绝缘层系一氧化矽层或低介电常数材料层。8.如申请专利范围第6项所述一种使用研磨终止层之镶崁式内连导线制程,其中该金属层系一铜(Cu)、铝(Al)、或钨(W)金属层。9.如申请专利范围第6项所述一种使用研磨终止层之镶崁式内连导线制程,其中该阻障层系选用研磨速率低于该金属层者之材质。10.如申请专利范围第9项所述一种使用研磨终止层之镶崁式内连导线制程,其中该阻障层的材质系一种选自于由钽(Ta)、氮化钽(TaN)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、氧化矽、及氮化矽所成之组群。11.如申请专利范围第6项所述一种使用研磨终止层之镶崁式内连导线制程,其中该蚀刻程序系一乾式蚀刻(dryetching)程序。12.如申请专利范围第6项所述一种使用研磨终止层之镶崁式内连导线制程,其中该蚀刻程序系一湿式蚀刻(wetetching)程序。 |
