发明名称 | 测量电压和/或电场强度的方法和传感器 | ||
摘要 | 本发明涉及一种测量电压和/或电场的方法,它利用晶体(1)所具有的光电效应(纵向光电效应)来实现,为此沿Z方向的偏振光波(17′)的垂直于传播方向(y方向)在晶体(1)内沿x轴方向上,将产生一个电场强度的梯度,根据该梯度可获得晶体(1)的折射率n的相应的梯度,由此在该晶体(1)内出现该光波(17′)的取决于场强变化的偏转,所出现的这一偏转可用来测出电压或场强。这里同样地描述了一种合适的传感器。 | ||
申请公布号 | CN1052304C | 申请公布日期 | 2000.05.10 |
申请号 | CN93101957.5 | 申请日期 | 1993.02.23 |
申请人 | MWB高压系统公司 | 发明人 | 迪克·皮埃尔;霍尔格·希尔什 |
分类号 | G01R19/00;G01R15/24 | 主分类号 | G01R19/00 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 马浩 |
主权项 | 1.一种利用晶体中出现的电光效应测量电压和电场强度的方法,其中,晶体中的电场强度及在沿晶体的y轴的光路上的折射率可以通过在与所述光路垂直的z轴方向施加电压而改变,包括步骤:沿所述光路在晶体上设置一对或多对电极,所述每对电极中的两个电极分别位于晶体的在z轴方向上分离开的相对表面上;将要测量的电压连接在所述电极上,使得z轴方向的电场强度在沿晶体的x轴方向产生一个梯度,从而产生一个折射率梯度,结果导致晶体中的光波在沿x轴方向被偏转,偏转的量是要测量的电压的函数;沿所述光路传输一光波;测量所述光波的偏转量;和根据所测得的偏转量确定连接至所述电极的电压的大小。 | ||
地址 | 联邦德国班贝格 |