| 摘要 |
<P>L'invention concerne un réacteur à plasma.Elle se rapporte à un réacteur (10) qui comprend une chambre (12) raccordée à une source de vide (17), un magnétron (18) qui supporte une cible de pulvérisation (20), un socle mobile (24) de support de substrat près de la cible (20), une première source (28) de signaux à haute fréquence connectée au socle (24) par un premier boîtier d'adaptation (30) à haute fréquence ayant un dispositif (32) d'ajustement de déphasage, une antenne (34) à haute fréquence positionnée autour de la chambre (12), une seconde source (38) de signaux à haute fréquence connectée à l'antenne (34) par un second boîtier d'adaptation (40), un enroulement (42) disposé autour de l'antenne (34), et une alimentation (44) en courant continu connectée à l'enroulement (42).Application aux dispositifs à semi-conducteur.</P>
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