Verfahren zur Schaltzustandsüberwachung eines IGBT und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

摘要

Es werden ein Verfahren zur Schaltzustandsüberwachung eines Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode (IGBT) (12) angegeben, welches den aktuellen Schaltzustand des IGBT (12) im Hauptstrompfad am Kollektor (13) und Emitter (11) mittels der Bildung eines Rückmeldesignals (3, 3a) aus dem Kollektor-Emitterspannung (14) des IGBT (12) überwacht. Das Rückmeldesignal (3, 3a) wird auf einem einstellbaren Schwellwert hin überwacht und einer Leitelektronik zugeführt. Des weiteren umfasst das Verfahren eine selbständige Ansteuerung des IGBT (12) im Falle einer Entsättigung des IGBT (12) und/oder im Falle eines Speisungsausfalls der eingesetzten Gateelektrodentreiberstufe (4). DOLLAR A Die Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens weist die Gateelektrodentreiberstufe (4) auf, welche einen Schwellwertvergleicher, der der Überwachung des Rückmeldesignals (3) auf einen einstellbaren Schwellwert dient, und optische Sendemittel (16) und optische Empfangsmittel (5) umfasst.