Downstream ammonia plasma passivation of GaAs,申请号EP19930304508-传众专利搜索

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发明名称	Downstream ammonia plasma passivation of GaAs
摘要
申请公布号	EP0575098(B1)	申请公布日期	2000.04.19
申请号	EP19930304508	申请日期	1993.06.10
申请人	AT&T CORP.	发明人	AYDIL, ERAY SACIT;GIAPIS, KONSTANTINOS PETROS;GOTTSCHO, RICHARD ALAN
分类号	H01L21/31;C23C8/36;H01L21/30;H01L21/306;H01L21/311;(IPC1-7):H01L21/306	主分类号	H01L21/31
代理机构		代理人
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