用于外延生长半导体层的金属有机化合物的制备

摘要

用通式为ＭＲ₃的金属有机化合物或其胺加合物在基体上通过外延半导体层的生长制备的半导体器件，Ｒ是烷基基团。所说的金属有机化合物是用格利雅试剂在胺类溶剂中与金属卤化物反应制备的。

主权项

1.一种在基体上生长半导体层的方法，包括以下步骤：将通式MR3的金属有机化合物输送到基体上，式中R为烷基，该化合物是由格利雅试剂与金属卤化物反应而制备的，和由金属有机化合物在基体上沉积金属，其特征在于，所述的格利雅试剂与金属卤化物的反应在叔胺溶剂中进行。