发明名称 |
用于制造透明导电薄层的阴极溅射靶 |
摘要 |
用于使用阴极溅射法制造透明导电薄层的一种溅射靶,由部分还原的氧化铟—氧化锡混合物粉末或部分还原的共沉淀氧化铟—氧化锡粉末制成,这种靶具有特别高的机械强度并且具有氧化物陶瓷的基质,其中以极其均匀分布的方式淀积着小于50μm的In和/或Sn金属相颗粒,并且具有全氧化的氧化铟/氧化锡理论密度值的96%以上的密度。 |
申请公布号 |
CN1050864C |
申请公布日期 |
2000.03.29 |
申请号 |
CN95102479.5 |
申请日期 |
1995.03.03 |
申请人 |
莱博德材料有限公司 |
发明人 |
M·施罗特;M·库茨纳;M·魏格特;U·康尼茨卡;B·格曼;S·法尔斯特龙 |
分类号 |
C23C14/08;C23C14/34 |
主分类号 |
C23C14/08 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
傅康;叶恺东 |
主权项 |
1.用于制造透明、导电薄层的阴极溅射靶,由部分还原的氧化铟-氧化锡粉末混合物或由部分还原的混合沉淀的氧化铟—氧化锡粉末制成,其特征在于,溅射靶具有氧化物陶瓷基质,其中以极其均匀分布的方式沉积着小于50μm的In和/或Sn的金属相颗粒,其密度大于全氧化的氧化铟—/氧化锡的理论密度值的96%。 |
地址 |
联邦德国哈瑙 |