接触窗的制造方法

摘要

一种接触窗的制造方法，首先在一已形成元件的半导体基底上依序形成一导线、一第一绝缘层以及一作为平坦化的旋覆玻璃层;对旋覆玻璃层植入一氟离子;形成一第二绝缘层;以及蚀刻第二绝缘层、旋覆玻璃层与第一绝缘层，以形成一露出导线的接触窗。利用植入的氟离子所产生的键结结构，使旋覆玻璃层仍保有低介电常数的特性,且形成的接触窗亦不会产生金属中毒的现象。

主权项

1.一种接触窗的制造方法,包括下列步骤:在一已形成元件的半导体基底上依序形成一导线、一第一绝缘层以及一作为平坦化的旋覆玻璃层;对该旋覆玻璃层植入一氟离子;形成一第二绝缘层;以及蚀刻该第二绝缘层、该旋覆玻璃层与该第一绝缘层,以形成一露出该导线的接触窗。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该氟离子系使用氟化硼离子来植入。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该氟离子植入之前,系先植入氩离子、磷离子、硼离子及砷离子之一。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第一及第二介电层系以化学气相沈积形成。图式简单说明:第一图a-第一图b绘示一种习知SOG经离子植入后,其键结结构的微观示意图;第二图a-第二图d绘示本发明之较佳实施例,一种接触窗的制造流程剖面图;以及第三图a-第三图b绘示本较佳实施例中,其SOG经离子植入后,其键结结构的微观示意图。