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发明名称 Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement mit plasmabehandelter Schicht
摘要
申请公布号 DE69606579(D1) 申请公布日期 2000.03.16
申请号 DE19966006579 申请日期 1996.05.23
申请人 MURATA MFG. CO., LTD. 发明人 MARUKAWA, TAKASHI
分类号 H01L29/812;H01L21/338;H01L29/10;(IPC1-7):H01L29/10;H01L21/322 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
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