| 发明名称 | 钝化金属化层的方法 | ||
| 摘要 | 经过蚀刻金属化层处理的半导体晶片包括蚀刻后的残留物,这些残留物将用有大量的CO<SUB>2</SUB>溶解在其中的含氟溶液予以清除。另外,采用有大量的O<SUB>3</SUB>溶解在其中的溶剂将曾经用来清除残留物的含氟溶液(或其它类似的溶液)从晶片上冲洗掉。在每种情况下金属化层的凹坑都会减少。 | ||
| 申请公布号 | CN1247486A | 申请公布日期 | 2000.03.15 |
| 申请号 | CN98802009.2 | 申请日期 | 1998.01.05 |
| 申请人 | 塞米特公司 | 发明人 | 桑德拉·W·格雷汉姆 |
| 分类号 | B08B6/00;B44C1/22;C09K13/08 | 主分类号 | B08B6/00 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 程伟;余刚 |
| 主权项 | 1.一种从金属化的半导体晶片上除去残留物的溶液，该溶液包括NH4F浓度至少为2×10-1M或更高的NH4F水溶液，这种NH4F有相当高浓度的CO2溶解在其中。 | ||
| 地址 | 美国蒙大拿州 | ||