| 摘要 |
An den Zuleitungen (Z) eines integrierten Halbleiterchips, die eine Verbindung zu externen Anschlüssen einer Versorgungsspannung herstellen, können durch hoch getaktete Stromimpulse Potentialschwankungen bis hin zu Resonanzschwingungen an einem internen Anschluß der jeweiligen Zuleitung (Z) angeregt werden. Zur Dämpfung dieser Potentialschwankungen wird für eine oder mehrere Zuleitungen (Z) ein Widerstandswert (R¶D¶) vorgegeben, der groß genug ist, diese Potentialschwankungen zu dämpfen, jedoch klein genug ist, um auf der jeweiligen Zuleitung (Z) nur einen vorgegebenen maximal zulässigen Spannungsabfall zu verursachen. Der jeweilige Widerstand (R¶D¶) kann durch Verwendung eines Materials mit einem entsprechenden spezifischen Widerstand oder durch Verkleinerung des Leiterquerschnitts (q) mit einer Einkerbung (K) entlang der Zuleitung (Z) erzielt werden. |
