| 主权项 |
1.一种保护电路,用以保护一对抗异常电压之主要 电路(22),其特征在于:一场效电晶体(Qp11)电子式的 联接于不同电压位准之第一电源供应线(23)与第二 电源供应线(24)之间;当此异常电压加到该第一电 源供应线(23)与第二电源供应线(24)之间时,场效电 晶体的导通使得放电电流由第一电源供应线流向 第二电源供应线。2.如申请专利范围第1项所述之 保护电路,其中该场效电晶体(Qp11)形成联接于第一 电源供应线(23)与第二电源供应线(24)两个放电路 径中之一部份,且该两个放电路径的另一个,包括 第二场效电晶体(Qn11),在源极点和汲极点间流过经 过崩溃之前述电流的一部份(In)。3.如申请专利范 围第2项所述之保护电路,其中该两个放电路径中 之另外一个放电路径,更包括一电流-电压转换装 置(R12)与此第二场效电晶体(Qn11)串联,为了转换该 电流的一部份(In)成为此第一场效电晶体(Qp11)在闸 极的闸极电压,因此使得该第一场效电晶体(Qp11)导 通。4.如申请专利范围第3项所述之保护电路,其中 该第一场效电晶体(Qp11)通道的导电性类别系与第 二场效电晶体(Qn11)不同。5.如申请专利范围第3项 所述之保护电路,其中电流-电压转换装置系由一 电阻(R12)所形成。6.如申请专利范围第5项所述之 保护电路,其中此电阻(R12)系连接于该第一电源供 应线(23)与该第二场效电晶体之汲极间,且该第二 场效电晶体(Qn11)为加强式n通道模式;而相对于第 二场效电晶体(Qn11)通道导电性类别之第一场效电 晶体(Qp11)的闸极,系连接到前述之电阻(R12)与前述 之第二场效电晶体(Qn11)间的节点。7.如申请专利 范围第2项所述之保护电路,其中该两条路径中之 一条路径更包括第一个电流-电压转换装置(R11)串 联于此第一场效电晶体(Qp11);因前述电流之另外一 部份(Ip)流过该第一场效电晶体(Qn11),以与在前述 之第二场效电晶体(Qn11)闸极的电压位准作区别,且 前述两条放电路径中之另外一条放电路径,包括第 二个电流-电压转换装置(R12)串联于此第二场效电 晶体(Qn11),因前述电流之一部份(In)以与在此第一 场效电晶体(Qp11)闸极的电压位准作区别。8.如申 请专利范围第7项所述之保护电路,其中此第一场 效电晶体(Qp11)、此第一个电流-电压转换装置(R11) 、此第二场效电晶体(Qn11)、及此第二个电流-电压 转换装置(R12)结合形成一正回馈系统,以加强该保 护电路之放电能力。9.如申请专利范围第7项所述 之保护电路,其中此第一个电流-电压转换装置与 第二个电流-电压转换装置系分别由第一电阻(R11) 与第二电阻(R12)所形成。10.如申请专利范围第9项 所述之保护电路,其中此第一电阻(R11)系连接于该 第二电源供应线(24)与该第一场效电晶体(Qp11)的汲 极间,而该第一场效电晶体(Qp11)系为加强式p通道 模式;且该第二电阻(R12)系连接于该第一电源供应 线(23)与该第二场效电晶体的汲极间,而该第二场 效电晶体(Qn11)系为加强式n通道模式。11.如申请专 利范围第10项所述之保护电路,其中该第一场效电 晶体(Qp11)的闸极系连接到此第二电阻(R12)与此第 二场效电晶体(Qn11)间的第一节点;而第二场效电晶 体(Qn11)的闸极系连接到此第一电阻(R11)与此第一 场效电晶体(Qp11)间的第二节点。12.如申请专利范 围第7项所述之保护电路,其中更包括一定位二极 体(40a),连接于此第二电源供应线(24)与此第二场效 电晶体(Qn11)的闸极间,为了限制于此第二场效电晶 体的闸极与源极点间,低于崩溃电压之此第二场效 电晶体的闸极电压位准。13.如申请专利范围第12 项所述之保护电路,其中此第一场效电晶体(Qp11)、 此第一个电流-电压转换装置(R11)、此第二场效电 晶体(Qn11)、及此第二个电流-电压转换装置(R12)结 合形成一正回馈系统,以加强该保护电路之放电能 力。14.如申请专利范围第12项所述之保护电路,其 中此第一个电流-电压转换装置及此第二个电流- 电压转换装置系分别由第一电阻(R11)与第二电阻(R 12)所形成。15.如申请专利范围第14项所述之保护 电路,其中此第一电阻(R11)系连接于该第二电源供 应线(24)与该第一场效电晶体(Qp11)的汲极间,而该 第一场效电晶体(Qp11)系为加强式p通道模式;且第 二电阻(R12)系连接于该第一电源供应线(23)与该第 二场效电晶体(Qn11)的汲极间,而该第二场效电晶体 (Qn11)系为加强式n通道模式;且此定位二极体(40a)之 阴极系连接到该第二电源供应线(24),阳极系连接 到该第二场效电晶体(Qn11)之闸极。16.如申请专利 范围第15项所述之保护电路,其中该第一场效电晶 体(Qp11)的闸极系连接到此第二电阻(R12)与此第二 场效电晶体(Qn11)间的第一节点;而第二场效电晶体 (Qn11)的闸极系连接到此第一电阻(R11)与此第一场 效电晶体(Qp11)间的第二节点。17.如申请专利范围 第15项所述之保护电路,其中该定位二极体(40a)之 定位电压较该第二场效电晶体(Qn11)的闸-源崩溃电 压小;而该第二场效电晶体(Qn11)的崩溃电压小于该 第一场效电晶体(Qp11)之崩溃电压。图式简单说明: 第一图显示第一个习知技术保护电路配置之电路 图; 第二图显示第二个习知技术保护电路配置之电路 图; 第三图显示依据本发明之保护电路配置的电路图; 第四图显示在高电源供应线及低电源供应线间之 电压对电流特性曲线图; 第五图显示依据本发明之其它保护电路配置的电 路图;及 第六图显示依据本发明之其它之保护电路配置的 电路图。 |
