复晶矽接触窗的制造方法

摘要

本发明是关于一种积体电路中复晶矽接触窗(contact window)的制造方法。主要系针对于知的自行对准(self-aligned)复晶矽接触窗的布局(layout)作一改良，于沈积复晶矽之后，先在复晶矽上方打开一较小之接触窗，再利用微影及蚀刻技术，形成二条复晶矽线，其间以复晶矽衬垫相连接，以构成复晶矽通路，最后再形成金属线，使得接触窗的开口小于金属线的宽度。如此，金属线则可完全覆盖在接触窗内之复晶矽上，以解决复晶矽在金属湿蚀刻步骤时，容易造成断路的问题，可改善产品的良率。同时，由于金属完全覆盖住接触窗内的复晶矽，可省去为了避免伤害复晶矽所增加之湿蚀刻制程，以增加产品的产能者。

主权项

1.一种复晶矽接触窗的制造方法,尤指场效电晶体中复晶矽与金属接触窗的制造方法,其步骤系包含:(1)形成一场氧化层于半导体矽基板上;(2)沈积一复晶矽膜于所述场氧化层之上;(3)沈积第一介电层,于所述复晶矽膜之上,并利用微影及蚀刻技术,以形成复晶矽的接触窗;(4)利用微影及蚀刻技术,将所述复晶矽膜形成二条纵向的复晶矽线其间由一复晶矽衬垫(pad)相连接以形成复晶矽导电通路;(5)连续沈积第二介电层和第三介电层于所述接触窗与第一介电层之上;(6)覆盖一层光阻膜于所述第二介电层及第三介电层上,并利用微影及蚀刻技术,将第二、第三介电层蚀刻,以形成接触窗延伸区(contact extension);(7)沈积一金属膜于所述接触窗上,并利用微影及蚀刻技术,形成横向的金属线覆盖于所述接触窗之上。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述接触窗的宽度,系比所述金属线与所述复晶矽线的宽度小。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述复晶矽膜的厚度介于1000到4000埃之间。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述第一介电层系为TEOS二氧化矽,其厚度介于1000到3000埃之间。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述第二介电层系为氮化矽,其厚度介于300到1000埃之间。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述第三介电层系为硼磷搀杂玻璃(BPSG),其厚度介于6000到10000埃之间。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述金属系为铝(Al)或铝矽(AlSi)合金或铝矽铜(AlSiCu)合金,其厚度为5000到12000埃之间。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中所述蚀刻金属的方法系利用电浆蚀刻法。图式简单说明:第一图为习知的复晶矽接触窗之布局(layout)图。第二图为习知的复晶矽接触窗之剖面(cross section)图。第三图为本发明复晶矽接触窗之布局图。第四图至第八图为本发明复晶矽接触窗实施例之制程剖面图。