| 主权项 |
1.一种具低黏滞力雷射刻纹结构的磁记录媒体,该雷射刻纹系利用雷射在该磁记录媒体之CSS区以脉冲方式形成多数个呈火山口状之雷射刻纹(laserbump),该雷射刻纹包含有:低于该磁记录媒体之标称表面(nominal surface)的凹陷部、以及环绕于该凹陷部周围的环形凸起部,其中该凸起部之高度(Hb)大约介于13nm-30nm之间,且任二相邻之雷射刻纹彼此之间的径向间距及环向间距的平均値约大于25m。2.如申请专利范围第1项所述具低黏滞力雷射刻纹结构的磁记录媒体,其中该凸起部之高度(Hb)在该磁记录媒体经溅镀及润滑等制程之后,约介于10nm-27nm之间。3.如申请专利范围第2项所述具低黏滞力雷射刻纹结构的磁记录媒体,其中该凸起部之高度(Hb)系约为18nm。4.如申请专利范围第2项所述具低黏滞力雷射刻纹结构的磁记录媒体,其中该凸起部之高度(Hb)系约为20nm。5.如申请专利范围第1项所述具低黏滞力雷射刻纹结构的磁记录媒体,其中该任二相邻之雷射刻纹彼此之间的径向间距及环向间距的平均値约为30m。6.如申请专利范围第1项所述具低黏滞力雷射刻纹结构的磁记录媒体,其中该任二相邻之雷射刻纹彼此之间的径向间距及环向间距的平均値约为3.5m。7.如申请专利范围第1项所述具低黏滞力雷射刻纹结构的磁记录媒体,该雷射刻纹之直径约介于4.5m-7m。8.如申请专利范围第7项所述具低黏滞力雷射刻纹结构的磁记录媒体,该雷射刻纹之直径约介于6.3m。图式简单说明:第一图,系为一种碟形磁记录媒体之构造平面图,显示CSS区在磁记录媒体的位置。第二图,系为CSS区的放大图,显示雷射刻纹的形状与分布位置。第三图,系为磁记录媒体之局部构造断面图,显示雷射刻纹的断面形状。第四图,系为雷射刻纹高度(bump height)与黏滞系数(Coefficient of stiction)之关系测试曲线图。第五图,系为雷射刻纹高度(bump height)与起飞速度(take-off velocity)之关系测试曲线图。第六图,系为雷射刻纹间距(spacing)与黏滞系数(Coefficient of stiction)之关系测试曲线图。第七图,系为雷射刻纹高度(spacing)与起飞速度(take-off velocity)之关系测试曲线图。第八图,系为雷射刻纹高度(spacing)与接触面积(Contactarea)之关系测试曲线图。 |
