| 主权项 |
1.一种复制绕射光栅之涂覆方法,该复制绕射光栅 界定出一光栅表面,该方法包括: A.将该复制光栅置入一真空室中,并将真空室内之 压力降至10-6torr以下;和 B.当于维持真空室之压力低于10-6torr时,在该光栅 表面沉积一铝覆层; C.当于维持真空室之压力低于10-6torr时,在该铝覆 层上沉积一MgF2的保护层。2.如申请专利范围第1项 之方法,其中在至少一组表面上的该铝覆层,其厚 度介于200nm与50nm之间。3.如申请专利范围第1项之 方法,其中在至少一组表面上的该MgF2层,其厚度实 际上小于50nm。4.如申请专利范围第3项之方法,其 中在至少一组表面上的该MgF2层,厚度约为10nm且该 铝层的厚度约为100nm。5.如申请专利范围第1项的 方法,其中该真空室之压力低于510-7torr。6.如申请 专利范围第1项的方法,其中在步骤A、B与C中,该真 空室之压力可连续维持在低于10-6torr的状态下。7. 如申请专利范围第6项之方法,其中该两沉积步骤 可用电子光束溅镀之技术达成。8.如申请专利范 围第6项之方法,其中该两沉积步骤可用蒸气沉积 之技术达成。9.一种保护覆层绕射光栅,具有大量 的平行沟槽,每一沟槽具有一反射面,该光栅包括: A.一个刚性基体; B.一层包含的非常多的平行沟槽之铝光栅层; C.一层将该光栅层固定在该刚性基体上的胶黏层; D.一层涂覆于该铝光栅层上的薄铝覆层,该铝覆层 在该反射面的厚度小于200nm。 E.一层涂覆于该铝层之上的薄MgF2保护层,该MgF2保 护层在该反射面上的厚度小于50nm。10.如申请专利 范围第9项之光栅,其中该等大量的平行沟槽之形 状为三角形。11.如申请专利范围第10项之光栅,其 中该等沟槽以约11.7966m的距离隔开。12.如申请 专利范围第11项之光栅,其中在该反射面上的该铝 覆层之厚度约为100m且在该反射面上的该MgF2保 护层之厚度约为10nm。13.一种用于ArF雷射之线窄化 模组,包括: A.一用来扩展ArF所产生的雷射光束之菱镜光束扩 展器; B.一具有大量平行沟槽之保护覆层绕射光栅,每一 沟槽具有一反射面,该光栅包括: 1.一个刚性基体; 2.一层包括非常多平行沟槽之铝光栅层; 3.一将该铝光栅层固定于该刚性基底上之胶黏层; 4.一涂覆于该铝光栅层之上的薄铝覆层,在该反射 面上的该铝覆层之厚度小于200nm。 5.一涂覆于该铝层之上的薄MgF2保护层,在该反射面 上的该MgF2保护层之厚度小于50nm。 C.一光束角度调整装置,用来调整该雷射光束相对 于该光栅之方向,以便经由该雷射的增幅来选择一 狭小范围波长。图式简单说明: 第一图是真空沉积室之图式。 第二图是习知技艺的复制光栅之部段图式。 第三图是第二图所示之相同部段且覆有一根据本 发明实施例之覆层。 第四图是第三图所示之该部段之高度放大截面图 。 第五图是表示一覆层光栅与习知技艺光栅之性能 比较之测试数据图表。 第六图是表示覆有非浓密的铝且在铝上并覆有MgF2 的习知技艺光栅,其令人不满意性能之图表。 |
