| 主权项 |
1.一种冠形电容器下电极之制造方法,包括:提供一晶圆;形成一第一导电层,在该晶圆上;形成一牺牲氧化层,在该第一导电层上;形成一第二导电层,在该牺牲氧化层上;形成一间隙壁,在该第二导电层的侧边;以该间隙壁作为罩幕,蚀刻该第二导电层和该牺牲氧化层、以及部分该第一导电层,形成一冠形结构,包括尖锐的一凸角;以及去除该凸角,形成一下电极。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在该晶圆中包括一源/汲极区,以及在该晶圆上包括一节点接触窗,连接在该源/汲极区之上,用以作为该下电极和该源/汲极区电性的导通。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成该下电极的方式是使用湿蚀刻法。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成该下电极的方式是使用化学机械研磨法。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一导电层材料是多晶矽。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第二导电层材料是多晶矽。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该牺牲氧化层材料是氧化矽。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该牺牲氧化层材料是氮化矽。9.一种冠形电容器之制造方法,包括:提供一晶圆;形成一第一导电层,在该晶圆上;形成一牺牲氧化层,在该第一导电层上;形成一第二导电层,在该牺牲氧化层上;形成一间隙壁,在该第二导电层的侧边;以该间隙壁作为罩幕,蚀刻该第二导电层和该牺牲氧化层、以及部分该第一导电层,形成一冠形结构,包括尖锐的一凸角;去除该凸角,形成一下电极;形成一介电层,在该下电极和该晶圆上;以及形成一上电极,在该介电层上。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中在该晶圆中包括一源/汲极区,以及在该晶圆上包括一节点接触窗,连接在该源/汲极区之上,用以作为该下电极和该源/汲极区电性的导通。11.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中形成该下电极的方式是使用湿蚀刻法。12.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中形成该下电极的方式是使用化学机械研磨法。13.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该第一导电层材料是多晶矽。14.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该第二导电层材料是多晶矽。15.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该牺牲氧化层材料是氧化矽。16.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该牺牲氧化层材料是氮化矽。17.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中使用低压气相沉积法进行沉积四邻乙氧基矽酸盐,形成该介电层。18.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该上电极材料是多晶矽。图式简单说明:第一图绘示习知一冠形电容器下电极剖面图;第二图A-第二图B绘示习知一冠形电容器下电极的制程流程剖面图;以及第三图A-第三图C绘示本发明之冠形电容器的制造流程剖面图。 |
