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Patente de Invenção:<B>"ALQUILSULFONILOXIMAS PARA FOTORRESISTS I-LINHA DE ALTA RESOLUçãO DE ALTA SENSIBILIDADE"<D>. A invenção descreve o uso de compostos de alquil sulfonato de oxima de fórmula 1, onde R é naftila, R~ 0~ é um grupo R~ 1~-X ou R~ 2~; X é uma ligação direta, um átomo de oxigênio ou um átomo de enxofre; R~ 1~ é hidrogênio, C~ 1~-C~ 4~ alquila ou um grupo fenila que é não-substituída ou substituída com um substituinte selecionado do grupo que consiste de cloro, bromo, C~ 1~-C~ 4~ alquila e C~ 1~-C~ 4~ alquilóxi; R~ 2~ é hidrogênio ou C~ 1~-C~ 4~ alquila; e R~ 3~ é C~ 1~-C~ 12~ alquila de cadeia reta ou ramificada, que é não-substituída ou substituída com um ou mais átomos de halogênio; como gerador de ácido fotossensível em um fotorresist quimicamente amplificado que é revelável em meio alcalino e que é sensível à radiação em um comprimento de onda de 340 a 390 nanómetros e por conseguinte composto de fotorresist positivos e negativos para a faixa de comprimento de onda mencionada acima.
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