| 发明名称 |
Ätzmethode für Siliciumverbindung-Schicht und Verfahren zur Herstellung eines Gegenstandes unter Verwendung dieser Methode |
| 摘要 |
A method for etching a silicon compound film comprises etching the silicon compound film in a gas flow rate ratio of CHF3 to C2F6 of 1 to 6 under an etching pressure of 40 to 120 Pa. <IMAGE> |
| 申请公布号 |
DE69229141(T2) |
申请公布日期 |
2000.01.27 |
| 申请号 |
DE1992629141T |
申请日期 |
1992.02.19 |
| 申请人 |
CANON K.K., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
KOYAMA, SHUJI;KASAMOTO, MASAMI;SHIBATA, MAKOTO |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/311;(IPC1-7):H01L21/311;B41J2/16 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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