| 发明名称 |
Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE4304849(C2) |
申请公布日期 |
2000.01.27 |
| 申请号 |
DE19934304849 |
申请日期 |
1993.02.17 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
KUSAKABE, KENJI |
| 分类号 |
H01L21/322;(IPC1-7):H01L21/22;H01L29/38 |
主分类号 |
H01L21/322 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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