| 发明名称 |
Storage capacitor for DRAM memory cell and the process of fabricating the same |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0844667(A3) |
申请公布日期 |
2000.01.19 |
| 申请号 |
EP19970119999 |
申请日期 |
1997.11.14 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED |
发明人 |
NIUYA, TAKAYUKI |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/02;H01L21/60;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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