| 摘要 |
<p>L'invention concerne un dispositif à effet Hall comportant des tranchées, sensible à des inductions magnétiques parallèles à la surface de la puce. La zone active d'orientation verticale (20), définie par deux tranchées parallèles (23.1, 23.2) séparées d'une distance équivalant par exemple seulement à 2,4 νm, est remplie d'un matériau diélectrique, du type polysilicium. Des colonnes de contact (24.1, 24.2) établissent le contact pour la zone active du dispositif dans une partie enterrée à une profondeur équivalant par exemple à 20 νm. Les contacts profonds permettent d'assurer un fonctionnement symétrique de la zone active, par analogie avec une plaque Hall latérale symétrique, ce fonctionnement symétrique étant favorable à la compensation de décalage dynamique. Le dispositif à effet Hall peut être fabriqué selon les techniques existantes, et il présente une sensibilité de 320 V/AT avec une linéarité inférieure à 0,1 %. Le procédé de fabrication considéré dans l'invention permet la co-intégration en isolation électrique d'un capteur et d'un circuit sur une même puce CMOS.</p> |
