浅沟渠隔离法

摘要

一种浅沟渠隔离法，系在所提供的一基底中蚀刻出一沟渠之后，以高密度电浆沈积的方式沈积一层氧化层，使其将沟渠填满。其厚度高于垫氧化层之上缘、但低于氮化矽层之上缘。然后，再于氧化层上沈积一层高硬度的终止层。由于以高密度电浆沈积的方式所形成之氧化层具有棱角分明的特点，再加上氮化矽的硬度较高于氧化物的特性，故而在以化学机械研磨氧化层的过程中，会先研磨去除氧化层中突起的棱角，而形成于较低洼处（沟渠上）之氧化层则有硬度较高且厚度较厚的氮化矽层保护，因而，可以防止填充沟渠之氧化物产生凹陷的现象，并且可获得较佳之均匀度并避免刮痕的形成。

主权项

1.一种浅沟渠隔离的方法,应用于一基底,该基底上已形成有一硬罩幕,且该基底与该硬罩幕中已形成有一沟渠,该浅沟渠隔离的方法包括下列步骤:以高密度电浆沈积的方式于该基底上形成一氧化层,使其覆盖该硬罩幕并填满该沟渠;于该氧化层上形成一终止层,其厚度约为300A至800A之间;以化学机械研磨法去除部份之该终止层与部份之该氧化层,裸露出该硬罩幕,以留下部份该终止层与部份该氧化层于该沟渠中,其中该终止层覆盖于该氧化层上;以及去除该硬罩幕与该终止层以形成一隔离区。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的方法,其中该终止层的在化学机械研磨法研磨时,其研磨去除的速率低于该氧化层。3.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离的方法,其中该终止层之材质包括氮化矽。4.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离的方法,其中该终止层之材质包括氮氧化矽。5.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离的方法,其中该终止层之材质包括氮化硼。6.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的方法,其中该终止层之形成方法包括使用化学气相沈积法。7.如申请专利范围第3项所述之浅沟渠隔离的方法,其中该终止层之形成方法包括使用化学气相沈积法。8.如申请专利范围第4项所述之浅沟渠隔离的方法,其中该终止层之形成方法包括使用化学气相沈积法。9.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离的方法,其中该终止层之形成方法包括使用化学气相沈积法。10.如申请专利范围第3项所述之浅沟渠隔离的方法,其中去除该终止层之方法包括使用磷酸。11.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的方法,其中该硬罩幕之材质包括氮化矽。12.一种浅沟渠隔离的方法,包括下列步骤:提供一基底;于该基底上形成一垫氧层;于该基底上形成一氮化矽层;定义该垫氧层、该氮化矽层与该基底,以形成一沟渠;以高密度电浆沈积的方式于该基底上形成一氧化层,使其覆盖该硬罩幕并填满该沟渠;于该氧化层上形成一终止层,其厚度约为300A至800A之间,且其研磨速率低于该氧化层;以化学机械研磨法去除部份之该终止层与部份之该氧化层,裸露出该硬罩幕,以留下部份该终止层与部份该氧化层于该沟渠中,其中该终止层覆盖于该氧化层上;以及去除该硬罩幕、该终止层与该垫氧层。13.如申请专利范围第12项所述之浅沟渠隔离的方法,其中该终止层之材质包括氮化矽。14.如申请专利范围第12项所述之浅沟渠隔离的方法,其中该终止层之材质包括氮氧化矽。15.如申请专利范围第12项所述之浅沟渠隔离的方法,其中该终止层之材质包括氮化硼。16.如申请专利范围第12项所述之浅沟渠隔离的方法,其中该终止层之形成方法包括使用化学气相沈积法。17.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离的方法,其中该终止层之形成方法包括使用化学气相沈积法。18.如申请专利范围第14项所述之浅沟渠隔离的方法,其中该终止层之形成方法包括使用化学气相沈积法。19.如申请专利范围第15项所述之浅沟渠隔离的方法,其中该终止层之形成方法包括使用化学气相沈积法。20.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离的方法,其中去除该终止层之方法包括使用磷酸。21.如申请专利范围第12项所述之浅沟渠隔离的方法,其中去除该垫氧化层之方法包括使用氢氟酸。图式简单说明:第一图A至第一图E绘示习知一种浅沟渠隔离结构的制造示意图;以及第二图A至第二图E绘示依照本发明一较佳实施例一种浅沟渠隔离结构的制造示意图。