半导体装置之制造方法

摘要

一场氧化膜１２，一n+行分布图１３和一介面层绝缘膜１４形成在一ｐ型半导体基底上，且在此形成一接触孔。一钛膜１５沈积在目前形成之表面上，且砷离子经由钛膜被植入一接触区域，以形成一磷分布层。对基底作热处理以触发磷分布层１６中之杂质且造成钛和矽彼此反应，因此在接触区域中形成一矽化钛膜１７。然后，将一金属膜沈积并形成图型至一金属绕线１８中，而不除去一已由钛膜产生之氮化矽膜１５ａ。

主权项

1.一种半导体装置之制造方法,含步骤:(1)在一矽基底表面上形成一绝缘膜;(2)在该绝缘膜形成一开口以经由该开口部份暴露该矽表面基底;(3)在形成于含该开口之基底上之表面沈积一高熔点金属,以形成一具有一预定膜厚度之高熔点金属膜;(4)经由该高熔点金属膜,在该开口中,选择性地将杂质离子植入该矽基底之表面;(5)将矽基底作热处理以触发所植入之杂质离子且在该开口中之该矽基底之表面上选择性地形成一高熔点金属矽化物;以及(6)在尚未矽化之高熔点金属上和在加热步骤(5)中产生之矽化物上成长一金属膜。2.如申请专利范围第1项之方法,其中沈积于沈积步骤(3)中之该高熔点金属包含钛,该高熔点金属之厚度范围从10nm至100nm。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该加热步骤(5)系在温度范围从650℃至小于850℃之氮气中进行。图式简单说明:第一图(a)-第一图(d)表示第一先前技艺之半导体装置制程之片段横切面图。第二图(a)-第二图(d)表示第三先前技艺之半导体装置制程之片段横切面图。第三图(a)-第三图(d)表示根据本发明半导体装置制法之片段横切面图。