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<B>DISPOSITIVO SEMICONDUTOR DE PONTE E MéTODO PARA PREPARAR O MESMO<D> Um dispositivo, por exemplo, um dispositivo de iniciação de explosivos (24) que inclui um dispositivo ponte semicondutor (10) consistindo de bases de semicondutores (14a, 14b) separadas por uma ponte de iniciador (14c) e contendo regiões metalizadas (16a, 16b) dispostas sobre as bases (14a, 14b). Cada uma das regiões metalizadas (16a, 16b) contém uma camada base de titânio (18), uma camada intermediária de titânio-tungstênio (20) e uma camada superior de tungstênio (22). Esta construção de várias camadas é simples de ser feita, fornece uma boa adesão ao semicondutor (14) e melhora as características da ponte de semicondutor e evita problemas de migração de elétrons resultantes do uso de regiões metalizadas de alumínio sob condições críticas em testes sem fogo e voltagem de acendimento ou niveis de corrente muito baixos. O semicondutor (14) pode, como opção, se coberto por uma tampa ou capa (117) de camadas de metal estratificadas similares ou idênticas às regiões metalizadas (16a, 16b). Um método de fabricação de dispositivos de ponte para semicondutores inclui crepitação metálica do titânio, depois de titânio mais tungstênio e depois tungstênio numa superfície semicondutor coberta apropriadamente para obter regiões metalizadas de várias camadas (16a, 16b) e/ou capa (117) da invenção.
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