发明名称 CIRCUIT INTEGRE MONOLITHIQUE COMPRENANT UNE INDUCTANCE PLANE OU UN TRANSFORMATEUR PLAN, ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL CIRCUIT
摘要 <P>Circuit intégré monolithique, notamment destiné à être incorporé dans un circuit de radio-fréquence, comprenant :- une couche de substrat (6) en matériau semi-conducteur;- une inductance plane (1) formée d'un ruban métallique enroulé en spirale, caractérisé en ce que chaque spire (2 - 5) de l'inductance (1) est séparée : - des spires voisines par une couche d'air (10);- et de la couche de substrat par une couche d'air (15).</P>
申请公布号 FR2780546(A1) 申请公布日期 1999.12.31
申请号 FR19980008434 申请日期 1998.06.29
申请人 MEMSCAP 发明人 KARAM JEAN MICHEL
分类号 H01L23/64;H01L23/66 主分类号 H01L23/64
代理机构 代理人
主权项
地址