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发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要 <p>필드산화막과 P형 웰의 경계에 붕소이온을 주입하여, 제 1 고에너지 붕소주입 P층을 형성한다. 또한 필드산화막의 두께방향 중앙부근에 붕소이온을 주입하여, 제 2 고에너지 붕소주입 P층을 형성한다. 제 1 및 제 2 고에너지 붕소주입 P층은 N형 확산층으로부터 떨어져 형성된다.</p>
申请公布号 KR19990088405(A) 申请公布日期 1999.12.27
申请号 KR19990018063 申请日期 1999.05.19
申请人 null, null 发明人 오소노가쓰히로
分类号 H01L21/3115;H01L21/762;H01L21/8234;H01L23/552 主分类号 H01L21/3115
代理机构 代理人
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