| 摘要 |
<p>본 발명은 리크가 작고 동시에 전하 유지능력이 높은 기억용량막을 구비한 반도체 기억장치 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다. 화학양론적 조성비를 갖는 BST막으로 이루어지는 고 유전율층(3)과 상부전극(15) 사이에, Ti 조성비가 화학양론적 조성에서 벗어난 BST막으로 이루어지는 저 리크층(5)을 개재시켜 고 유전체층(3) 및 저 리크층(5)에 의해 기억용량막(1)을 구성한다. Ti 조성비가 화학양론적 조성에서 벗어난 BST막은 리크 전류량을 억제하는 기능이 높고 동시에 화학양론적 조성을 갖는 BST막에 비해 비유전율(Relative dielectric constant)의 저하가 작다. 따라서 콘덴서가 직렬구조로 된 기억용량막 전체의 비유전율의 저하를 극히 작게 억제하면서 리크 전류의 억제를 도모할 수 있으므로 반도체 기억장치의 미세화를 추진할 수가 있다.</p> |
