Method of manufacturing a metal electrode in a semiconductor device having a MOS transistor

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einer strukturierten Metallschicht 9. Auf die Oberfläche der Halbleiteranordnung wird eine Schicht 7 aus einem Material mit schlechten Hafteigenschaften für das Metall aufgebracht, auf der Schicht 7 werden Strukturelemente 8 aus einem Material mit guten Hafteigenschaften für das Metall ausgebildet, die einen Abstand a voneinander haben, und die Metallschicht 9 wird derart aufgebracht, daß sie unter Berücksichtigung des Verhältnisses ihrer Dicke d zu dem Abstand a und ihrer Materialeigenschaft nur auf den Strukturelementen 8 und der Schicht 7 zwischen den Strukturelementen 8 haften bleibt.