发明名称 具有通带外改进抑制的表面声波滤波器
摘要 一种SAW滤波装置包括一个压电基片(130),该压电基片在其上带有一个连接到一个输入端子上的第一指状电极对(11)、和一个连接到一个输出端子上的第二指状电极对(12、13)。第一指状电极对接地到一个第一接地垫上,而第二指状电极对接地到一个与第一接地垫不同的第二接地垫上。压电基片装在形成在壳体内的空隙中,其中空隙由一个连接到第一和第二接地垫之一上的金属顶盖件(103)覆盖着。
申请公布号 CN1239354A 申请公布日期 1999.12.22
申请号 CN99106908.0 申请日期 1999.05.28
申请人 富士通株式会社 发明人 川内治;上田政则;须贺晃
分类号 H03H9/46 主分类号 H03H9/46
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 马浩
主权项 1.一种SAW滤波装置,包括:一个压电基片(130);一个SAW滤波电路(10-1、10-2),形成在所述压电基片上,所述SAW滤波电路包括提供在所述压电基片上的多个指状电极对(11-13;41-43);一个其中包括空隙的壳体(102),所述壳体把所述压电基片与所述SAW电路一起装在所述空隙中,所述壳体带有一个输入垫(111)和一个输出垫(112),所述壳体进一步带有多个彼此分离的接地垫(110-1、110-2),所述多个接地垫包括一个第一接地垫和一个第二接地垫;及一个导体顶盖件(103),提供在所述壳体上以便封闭所述空隙,所述顶盖件电气连接到所述第一和第二接地垫之一上。
地址 日本神奈川