| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 为了抑制因热中子引起的软错误，在容纳半导体芯片(2)的模塑封装体(4)的表面上粘贴含有氮化硼的片(6)。 | ||
| 申请公布号 | CN1238560A | 申请公布日期 | 1999.12.15 |
| 申请号 | CN99102540.7 | 申请日期 | 1999.02.26 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 栗山祐忠;塘一仁;秋山龙彦;有田丰;岸本忠史 |
| 分类号 | H01L23/552;H01L23/31 | 主分类号 | H01L23/552 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
| 主权项 | 1．一种半导体装置，其特征在于，具备：容纳半导体芯片的封装体，该半导体芯片在内部形成存储元件；以及被粘贴到上述封装体的表面上并包含热中子吸收材料的热中子吸收片。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||