| 主权项 |
1.一种于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,包括了下列步骤:提供一半导体基板,其上形成一第一金属内接层;于半导体基板上形成一具有高密度的第一氧化层;藉由电浆促进化学蒸气沈积法于第一氧化层上形成一第二氧化层;于第二氧化层上涂布一SOG层;对SOG层做表面蚀刻(blanket-etching),直到SOG层完全移除为止;使第一内接元件的一选择部份露出而形成一通孔;于目前具有一通孔的基板上形成一第二金属层,且使第二金属层电气连结至第一金属层。2.如申请专利第1项之于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,其中此种第一氧化层系可充分的填满于距离小于0.25m的空隙。3.如申请专利第1项之于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,其中第一氧化层包含萤光性原子。4.如申请专利第1项之于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,其中第一氧化层形成的厚度约在1000A至1000A左右。5.如申请专利第1项之于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,其中第二氧化层形成的厚度约在100A至1000A左右。6.如申请专利第1项之于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,其中SOG所涂布的厚度约在4400A左右。7.如申请专利第1项之于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,其中表面蚀刻系使用乾式蚀刻法,其中供应CF4和CHF3于小室中,作为乾式蚀刻法之源气。8.一种于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,包括了下列步骤:提供一半导体基板,其上形成一第一金属内接层;于半导体基板上形成一具有高密度的第一氧化层;藉由电浆促进化学蒸气沈积法于第一氧化层上形成一第二氧化层;于第二氧化层上涂布一SOG层;藉由放射电子束于一已定时间内来熟化此SOG层;对SOG层做表面蚀刻,直到SOG层完全移除为止;使第一内接元件的一选择部份露出而形成一通孔;于目前具有一通孔的基板上形成一第二金属层,且使第二金属层电气连结至第一金属层。9.如申请专利第8项之于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,其中此种第一氧化层系可充分的填满于距离小于0.25m的空隙。10.如申请专利第8项之于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,其中所执行之熟化步骤系为放射1KeV至10KeV的能量与1000c/cm2至800c/cm2的剂量。11.如申请专利第8项之于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,其中第一氧化层包含萤光性原子。12.如申请专利第8项之于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,其中第一氧化层形成的厚度约在1000A至10000A左右。13.如申请专利第8项之于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,其中第二氧化层形成的厚度约在100A至10000A左右。14.如申请专利第8项之于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,其中SOG所涂布的厚度约在4400A左右。15.如申请专利第8项之于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,其中表面蚀刻系使用乾式蚀刻法,其中供应CF4和CHF3于小室中,作为乾式蚀刻法之源气。16.如申请专利第8项之于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,其中第一和第二氧化层系为二氧化矽。17.如申请专利第8项之于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,其中特别包含一步骤,其为于目前已经由平面蚀刻步骤之基板上形成一第三氧化层。18.如申请专利第17项之于半导体元件中形成中间绝缘层的方法,其中第三氧化层系为二氧化矽。图式简单说明:第一图A至第一图C系为根据本发明之第一具体实施例,显示一内接绝缘层之形成过程的简化截面图。第二图A至第二图C系为根据本发明之第二具体实施例,显示一内接绝缘层之形成过程的简化截面图。 |
