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发明名称 Non-volatile semiconductor storage device
摘要 <p>본 발명은 데이터가 센스 증폭기에 의해 메모리 셀의 출력과 기준셀의 출력을 비교함으로서 판독되는 전기적 소거 및 프로그래밍 가능 비휘발성 반도체 기억장치에 관한 것이다. 이 장치에서, 기준셀은 주어진 임계전압을 가지도록 설정되며, 메모리 셀의 게이트 전압 및 기준셀의 게이트 전압은 개별적으로 설정된다.</p>
申请公布号 KR19990083512(A) 申请公布日期 1999.11.25
申请号 KR19990014991 申请日期 1999.04.27
申请人 null, null 发明人 우에쿠보마사키
分类号 G11C16/06;G11C16/28;G11C16/34 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
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